BSC050NE2LSATMA1

Infineon Technologies BSC050NE2LSATMA1

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  • BSC050NE2LSATMA1
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 25V 39A/58A TDSON
  • Transistors - FETs, MOSFETs - Single
  • BSC050NE2LSATMA1 Hoja de datos
  • 8-PowerTDFN
  • Tape & Reel (TR)
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 3697
  • Inventario al contado / distribuidor autorizado / inventario restante de la fábrica
  • Garantía de calidad de 1 año 》
  • Haga clic para obtener tarifas
Número de pieza
BSC050NE2LSATMA1
Categoría
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET N-CH 25V 39A/58A TDSON
Paquete
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete/Estuche
8-PowerTDFN
Paquete de dispositivo del proveedor
PG-TDSON-8-5
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Disipación de energía (máx.)
2.5W (Ta), 28W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
25 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
39A (Ta), 58A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
5mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @Id
2V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
10.4 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
760 pF @ 12 V
Vgs (máx.)
±20V
Voltaje de la unidad (Rds máx. activado, Rds mín. activado)
4.5V, 10V

BSC050NE2LSATMA1 Garantías

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