Infineon Technologies BSC050NE2LSATMA1
- BSC050NE2LSATMA1
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 25V 39A/58A TDSON
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- BSC050NE2LSATMA1 Hoja de datos
- 8-PowerTDFN
- Tape & Reel (TR)
-
Lead free / RoHS Compliant - 3697
- Inventario al contado / distribuidor autorizado / inventario restante de la fábrica
- Garantía de calidad de 1 año 》
- Haga clic para obtener tarifas
| Número de pieza BSC050NE2LSATMA1 |
| Categoría Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Fabricante Infineon Technologies |
| Descripción MOSFET N-CH 25V 39A/58A TDSON |
| Paquete Tape & Reel (TR) |
| Serie OptiMOS™ |
| Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje Surface Mount |
| Paquete/Estuche 8-PowerTDFN |
| Paquete de dispositivo del proveedor PG-TDSON-8-5 |
| Tecnología MOSFET (Metal Oxide) |
| Disipación de energía (máx.) 2.5W (Ta), 28W (Tc) |
| Tipo FET N-Channel |
| Función FET - |
| Drenaje a voltaje de fuente (Vdss) 25 V |
| Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C 39A (Ta), 58A (Tc) |
| Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs 5mOhm @ 30A, 10V |
| Vgs(th) (Máx.) @Id 2V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 10.4 nC @ 10 V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 760 pF @ 12 V |
| Vgs (máx.) ±20V |
| Voltaje de la unidad (Rds máx. activado, Rds mín. activado) 4.5V, 10V |
BSC050NE2LSATMA1 Garantías



• Responda con prontitud
• Calidad garantizada
• Acceso global
• Precio de mercado competitivo
• Servicios todo en uno de la cadena de suministro
Jinftry, es su proveedor de componentes más confiable, bienvenido a enviarnos la consulta, ¡gracias!
¿Tiene alguna pregunta sobre BSC050NE2LSATMA1 ?
Siéntete libre de contactarnos:
+86-755-28503874
+8615019224070, annies65, +8615118125813
568248857, 827259012, 316249462
+8615019224070, +8615118118839, +8615118125813
( Correo electrónico primero )
Comments
Infineon Technologies

Founded on April 1, 1999, Infineon Technologies is a leading global semiconductor company and one of the largest semiconductor product manufacturers in Germany. The company is headquartered in Munich, Germany, and its predecessor was the...
SPD09P06PLGBTMA1
MOSFET P-CH 60V 9.7A TO252-3
BSZ900N15NS3GATMA1
MOSFET P-CH 60V 9.7A TO252-3
BSO201SPHXUMA1
MOSFET P-CH 60V 9.7A TO252-3
BSC010NE2LSATMA1
MOSFET P-CH 60V 9.7A TO252-3
BSC011N03LSIATMA1
MOSFET P-CH 60V 9.7A TO252-3
BSO301SPHXUMA1
MOSFET P-CH 60V 9.7A TO252-3
BSC900N20NS3GATMA1
MOSFET P-CH 60V 9.7A TO252-3
BSC009NE2LSATMA1
MOSFET P-CH 60V 9.7A TO252-3



