ON Semiconductor FDD306P
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- FDD306P
- ON Semiconductor
- MOSFET P-CH 12V 6.7A TO252
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- FDD306P Hoja de datos
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Cut Tape (CT)
-
Lead free / RoHS Compliant - 22239
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| Part Number FDD306P |
| Category Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Manufacturer ON Semiconductor |
| Description MOSFET P-CH 12V 6.7A TO252 |
| Package Cut Tape (CT) |
| Series PowerTrench® |
| Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type Surface Mount |
| Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Supplier Device Package TO-252AA |
| Technology MOSFET (Metal Oxide) |
| Power Dissipation (Max) 52W (Ta) |
| FET Type P-Channel |
| FET Feature - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) 12 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.7A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 28mOhm @ 6.7A, 4.5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 21 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1290 pF @ 6 V |
| Vgs (Max) ±8V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V |
| Package_case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
FDD306P Garantías
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