Infineon Technologies FF650R17IE4PBOSA1
- FF650R17IE4PBOSA1
- Infineon Technologies
- IGBT MODULE 1700V 650A
- Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- FF650R17IE4PBOSA1 Hoja de datos
- Module
- Tray
-
Lead free / RoHS Compliant - 2001
- Inventario al contado / distribuidor autorizado / inventario restante de la fábrica
- Garantía de calidad de 1 año 》
- Haga clic para obtener tarifas
| Número de pieza FF650R17IE4PBOSA1 |
| Categoría Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
| Fabricante Infineon Technologies |
| Descripción IGBT MODULE 1700V 650A |
| Paquete Tray |
| Serie - |
| Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C |
| Tipo de montaje Chassis Mount |
| Paquete/Estuche Module |
| Paquete de dispositivo del proveedor Module |
| Potencia máxima - |
| Configuración 2 Independent |
| Corriente - Colector (Ic) (Max) 650 A |
| Tensión - Avería Colector Emisor (Máx.) 1700 V |
| Corriente: corte del colector (máx.) 5 mA |
| Tipo IGBT Trench Field Stop |
| Vce(encendido) (Máx.) @ Vge, Ic 2.45V @ 15V, 650A |
| Capacidad de entrada (Cies) @ Vce 54 nF @ 25 V |
| Aporte Standard |
| Termostato NTC Yes |
FF650R17IE4PBOSA1 Garantías



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