Toshiba Semiconductor and Storage GT30J121(Q)
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- GT30J121(Q)
- Toshiba Semiconductor and Storage
- IGBT 600V 30A 170W TO3PN
- Transistors - IGBTs - Single
- GT30J121(Q) Hoja de datos
- TO-3P-3, SC-65-3
- Tube
-
Lead free / RoHS Compliant - 3209
- Inventario al contado / distribuidor autorizado / inventario restante de la fábrica
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Servicios de entrega:
Métodos de pago:
| Part Number GT30J121(Q) |
| Category Transistors - IGBTs - Single |
| Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage |
| Description IGBT 600V 30A 170W TO3PN |
| Package Tube |
| Series - |
| Operating Temperature - |
| Mounting Type Through Hole |
| Package / Case TO-3P-3, SC-65-3 |
| Supplier Device Package TO-3P(N) |
| Power - Max 170 W |
| Input Type Standard |
| Reverse Recovery Time (trr) - |
| Current - Collector (Ic) (Max) 30 A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600 V |
| IGBT Type - |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.45V @ 15V, 30A |
| Gate Charge - |
| Td (on/off) @ 25°C 90ns/300ns |
| Test Condition 300V, 30A, 24Ohm, 15V |
| Current - Collector Pulsed (Icm) 60 A |
| Switching Energy 1mJ (on), 800µJ (off) |
| Package_case TO-3P-3, SC-65-3 |
GT30J121(Q) Garantías
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