Infineon Technologies IPB027N10N5ATMA1
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- IPB027N10N5ATMA1
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- IPB027N10N5ATMA1 Hoja de datos
- TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Jinftry-Reel®
-
Lead free / RoHS Compliant - 10316
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| Part Number IPB027N10N5ATMA1 |
| Category Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Manufacturer Infineon Technologies |
| Description MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK |
| Package Jinftry-Reel® |
| Series OptiMOS™ |
| Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type Surface Mount |
| Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Supplier Device Package PG-TO263-3 |
| Technology MOSFET (Metal Oxide) |
| Power Dissipation (Max) 250W (Tc) |
| FET Type N-Channel |
| FET Feature - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 120A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.7mOhm @ 100A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id 3.8V @ 184µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 139 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 10300 pF @ 50 V |
| Vgs (Max) ±20V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V |
| Package_case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
IPB027N10N5ATMA1 Garantías
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