Infineon Technologies IPBE65R075CFD7AATMA1
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- IPBE65R075CFD7AATMA1
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 650V 32A TO263-7
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- IPBE65R075CFD7AATMA1 Hoja de datos
- TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
- Tube
-
Lead free / RoHS Compliant - 21268
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| Part Number IPBE65R075CFD7AATMA1 |
| Category Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Manufacturer Infineon Technologies |
| Description MOSFET N-CH 650V 32A TO263-7 |
| Package Tube |
| Series Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™ CFD7A |
| Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type Surface Mount |
| Package / Case TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB |
| Supplier Device Package PG-TO263-7-3-10 |
| Technology MOSFET (Metal Oxide) |
| Power Dissipation (Max) 171W (Tc) |
| FET Type N-Channel |
| FET Feature - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 32A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 75mOhm @ 16.4A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 820µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 68 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3288 pF @ 400 V |
| Vgs (Max) ±20V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V |
| Package_case TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB |
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