Infineon Technologies IPL60R299CPAUMA1
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- IPL60R299CPAUMA1
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 650V 11.1A 4VSON
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- IPL60R299CPAUMA1 Hoja de datos
- 4-PowerTSFN
- Tape & Reel (TR)
-
Lead free / RoHS Compliant - 22771
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| Part Number IPL60R299CPAUMA1 |
| Category Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Manufacturer Infineon Technologies |
| Description MOSFET N-CH 650V 11.1A 4VSON |
| Package Tape & Reel (TR) |
| Series CoolMOS™ |
| Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type Surface Mount |
| Package / Case 4-PowerTSFN |
| Supplier Device Package PG-VSON-4 |
| Technology MOSFET (Metal Oxide) |
| Power Dissipation (Max) 96W (Tc) |
| FET Type N-Channel |
| FET Feature - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11.1A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 299mOhm @ 6.6A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 440µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1100 pF @ 100 V |
| Vgs (Max) ±20V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V |
| Package_case 4-PowerTSFN |
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