IXCY01N90E

IXYS IXCY01N90E

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  • IXCY01N90E
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 900V 250MA TO252
  • Transistors - FETs, MOSFETs - Single
  • IXCY01N90E Hoja de datos
  • TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Tube
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 2008
  • Inventario al contado / distribuidor autorizado / inventario restante de la fábrica
  • Garantía de calidad de 1 año 》
  • Haga clic para obtener tarifas
Part Number
IXCY01N90E
Category
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Manufacturer
IXYS
Description
MOSFET N-CH 900V 250MA TO252
Package
Tube
Series
-
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device Package
TO-252AA
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
40W (Tc)
FET Type
N-Channel
FET Feature
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
900 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
250mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
80Ohm @ 50mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 25µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
133 pF @ 25 V
Vgs (Max)
±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Package_case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IXCY01N90E Garantías

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