Renesas Electronics America Inc NP80N04NHE-S18-AY
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- NP80N04NHE-S18-AY
- Renesas Electronics America Inc
- MOSFET N-CH 40V 80A TO262
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- NP80N04NHE-S18-AY Hoja de datos
- TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
- Tube
-
Lead free / RoHS Compliant - 3239
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Métodos de pago:
| Part Number NP80N04NHE-S18-AY |
| Category Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Manufacturer Renesas Electronics America Inc |
| Description MOSFET N-CH 40V 80A TO262 |
| Package Tube |
| Series - |
| Operating Temperature 175°C (TJ) |
| Mounting Type Through Hole |
| Package / Case TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Supplier Device Package TO-262 |
| Technology MOSFET (Metal Oxide) |
| Power Dissipation (Max) 1.8W (Ta), 120W (Tc) |
| FET Type N-Channel |
| FET Feature - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 80A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 8mOhm @ 40A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3.3 pF @ 25 V |
| Vgs (Max) - |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) - |
| Package_case TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
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