SIA439EDJ-T1-GE3

Vishay Siliconix SIA439EDJ-T1-GE3

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  • SIA439EDJ-T1-GE3
  • Vishay Siliconix
  • MOSFET P-CH 20V 28A PPAK SC70-6
  • Transistors - FETs, MOSFETs - Single
  • SIA439EDJ-T1-GE3 Hoja de datos
  • PowerPAK® SC-70-6
  • -Reel®
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 21660
  • Inventario al contado / distribuidor autorizado / inventario restante de la fábrica
  • Garantía de calidad de 1 año 》
  • Haga clic para obtener tarifas
Número de pieza
SIA439EDJ-T1-GE3
Categoría
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Fabricante
Vishay Siliconix
Descripción
MOSFET P-CH 20V 28A PPAK SC70-6
Paquete
-Reel®
Serie
TrenchFET®
Temperatura de funcionamiento
-50°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete/Estuche
PowerPAK® SC-70-6
Paquete de dispositivo del proveedor
PowerPAK® SC-70-6
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Disipación de energía (máx.)
3.5W (Ta), 19W (Tc)
Tipo FET
P-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
20 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
28A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
16.5mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @Id
1V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
69 nC @ 8 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
2410 pF @ 10 V
Vgs (máx.)
±8V
Voltaje de la unidad (Rds máx. activado, Rds mín. activado)
1.8V, 4.5V

SIA439EDJ-T1-GE3 Garantías

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