SQJQ960EL-T1_GE3

Vishay Siliconix SQJQ960EL-T1_GE3

La imagen es solo de referencia, consulte las especificaciones del producto

  • SQJQ960EL-T1_GE3
  • Vishay Siliconix
  • MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK8X8
  • Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
  • SQJQ960EL-T1_GE3 Hoja de datos
  • PowerPAK® 8 x 8 Dual
  • Cut Tape (CT)
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 5511
  • Inventario al contado / distribuidor autorizado / inventario restante de la fábrica
  • Garantía de calidad de 1 año 》
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Número de pieza
SQJQ960EL-T1_GE3
Categoría
Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Fabricante
Vishay Siliconix
Descripción
MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK8X8
Paquete
Cut Tape (CT)
Serie
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete/Estuche
PowerPAK® 8 x 8 Dual
Paquete de dispositivo del proveedor
PowerPAK® 8 x 8 Dual
Potencia máxima
71W
Tipo FET
2 N-Channel (Dual)
Función FET
Standard
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
60V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
63A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
9mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @Id
2.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
24nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
1950pF @ 25V

SQJQ960EL-T1_GE3 Garantías

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