Transphorm TPH3208PD
- TPH3208PD
- Transphorm
- GANFET N-CH 650V 20A TO220AB
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TPH3208PD Hoja de datos
- TO-220-3
- Tube
- Lead free / RoHS Compliant
- 3234
- Inventario al contado / distribuidor autorizado / inventario restante de la fábrica
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Part Number TPH3208PD |
Category Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Manufacturer Transphorm |
Description GANFET N-CH 650V 20A TO220AB |
Package Tube |
Series - |
Operating Temperature -55°C ~ 150°C |
Mounting Type Through Hole |
Package / Case TO-220-3 |
Supplier Device Package TO-220AB |
Technology GaNFET (Gallium Nitride) |
Power Dissipation (Max) 96W (Tc) |
FET Type N-Channel |
FET Feature - |
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 130mOhm @ 13A, 8V |
Vgs(th) (Max) @ Id 2.6V @ 300µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 8 V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 760 pF @ 400 V |
Vgs (Max) ±18V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V |
Package_case TO-220-3 |
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