Fairchild Semiconductor FDB0260N1007L
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- FDB0260N1007L
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 100V 200A TO263-7
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- FDB0260N1007L Hoja de datos
- TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
- Bulk
-
Lead free / RoHS Compliant - 1882
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Métodos de pago:
| Part Number FDB0260N1007L |
| Category Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Manufacturer Fairchild Semiconductor |
| Description MOSFET N-CH 100V 200A TO263-7 |
| Package Bulk |
| Series PowerTrench® |
| Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type Surface Mount |
| Package / Case TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
| Supplier Device Package TO-263-7 |
| Technology MOSFET (Metal Oxide) |
| Power Dissipation (Max) 3.8W (Ta), 250W (Tc) |
| FET Type N-Channel |
| FET Feature - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 200A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.6mOhm @ 27A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 118 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 8.545 pF @ 50 V |
| Vgs (Max) ±20V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V |
| Package_case TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
FDB0260N1007L Garantías
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