SCT2750NYTB

Rohm Semiconductor SCT2750NYTB

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  • SCT2750NYTB
  • Rohm Semiconductor
  • SICFET N-CH 1700V 5.9A TO268
  • Transistors - FETs, MOSFETs - Single
  • SCT2750NYTB Hoja de datos
  • TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
  • Tape & Reel (TR)
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 3822
  • Inventario al contado / distribuidor autorizado / inventario restante de la fábrica
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Part Number
SCT2750NYTB
Category
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Manufacturer
Rohm Semiconductor
Description
SICFET N-CH 1700V 5.9A TO268
Package
Tape & Reel (TR)
Series
-
Operating Temperature
175°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Supplier Device Package
TO-268
Technology
SiCFET (Silicon Carbide)
Power Dissipation (Max)
57W (Tc)
FET Type
N-Channel
FET Feature
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
1700 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
5.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
975mOhm @ 1.7A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 630µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
17 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
275 pF @ 800 V
Vgs (Max)
+22V, -6V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
18V
Package_case
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

SCT2750NYTB Garantías

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