Transphorm TP65H300G4LSG
- TP65H300G4LSG
- Transphorm
- GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TP65H300G4LSG Hoja de datos
- 3-PowerDFN
- Cut Tape (CT)
- Lead free / RoHS Compliant
- 4583
- Inventario al contado / distribuidor autorizado / inventario restante de la fábrica
- Garantía de calidad de 1 año 》
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Part Number TP65H300G4LSG |
Category Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Manufacturer Transphorm |
Description GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN |
Package Cut Tape (CT) |
Series - |
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) |
Mounting Type Surface Mount |
Package / Case 3-PowerDFN |
Supplier Device Package 3-PQFN (8x8) |
Technology GaNFET (Gallium Nitride) |
Power Dissipation (Max) 21W (Tc) |
FET Type N-Channel |
FET Feature - |
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.5A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 312mOhm @ 5A, 8V |
Vgs(th) (Max) @ Id 2.6V @ 500µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.6 nC @ 8 V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 760 pF @ 400 V |
Vgs (Max) ±18V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 8V |
Package_case 3-PowerDFN |
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